泰思曼高壓電源在半導體測試的應用
IGBT和MOS管等功率半導體在電子電力裝置和系統中扮演著(zhù)“CPU”的角色，優(yōu)異的功率半導體可使設備達到高效節能的效果，近年來(lái)IGBT的國產(chǎn)化進(jìn)程也顯著(zhù)加速，與之對應的國產(chǎn)化測試設備也需求量旺盛。這類(lèi)測試設備早期由瑞士和意大利等國外品牌占據。
動(dòng)態(tài)、靜態(tài)測試系統是IGBT模塊研發(fā)和制造過(guò)程中重要的測試系統，其中動(dòng)態(tài)測試指標對器件性能最為重要。因為諸如續流二極管的反向恢復參數，柵極-漏極、柵極-源極及漏極-源極的電容效應等會(huì )影響開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗，所以需要測量功率半導體器件的開(kāi)關(guān)性能。此外如浪涌電流和雪崩能量等極限測試也是衡量半導體器件的重要指標。
而這些測試中，高精密的高壓電源是不可或缺的。泰思曼TD2202和TCM6006，具備快速平滑的上升沿，可編程的輸出波形獲得客戶(hù)的認可。
